分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 340毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.07315 | 1047 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07315 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 5115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.81514 | 950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.81514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 3600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 4809 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 270W(Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.95318 | 1706 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.54422 | 1069 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.61990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 1840 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.14006 | 1560 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.97284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SST3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.14631 | 1069 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14631 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 380mW (Ta), 2.8W (Tc) 供应商设备包装: DFN0606-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 7820 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.24971 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.24971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.71W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 1160 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.76391 | 471 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 4682 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 1404 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: VML0806 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.53502 | 50649 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SSM 工作温度: 150摄氏度 | ¥2.10044 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 5725 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 |