分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 32443 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 2188 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 82W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.63546 | 120927 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.12250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.23W (Tc) 供应商设备包装: DFN0606-3(SOT8001) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 3176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 2499 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 132W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 30879 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: UMT3F 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.22331 | 65850 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22331 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 225W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.63546 | 108627 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.12250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 4529 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 1.2W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度 | ¥12.16807 | 2150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.75230 | 19930 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、74A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距SQ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.63546 | 55282 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.12250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦(Ta) 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 2587 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 3034 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 1674 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.24290 | 193757 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 19800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 |