预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,10V | ¥0.19511 | 2380 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19511 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.15599 | 2400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15599 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V | ¥0.11365 | 1900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11365 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.37750 | 1890 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37750 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V | ¥0.20196 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20196 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.07862 | 1995 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07862 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15119 | 1820 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15119 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.13412 | 1660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13412 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15850 | 1560 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15850 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.12837 | 2000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12837 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.19269 | 1320 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19269 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.24668 | 125 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24668 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.17134 | 1440 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17134 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.13667 | 1740 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13667 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V | ¥0.16788 | 1740 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16788 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.15817 | 1640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15817 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.43350 | 300 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43350 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):625mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.23032 | 1150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23032 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.21412 | 780 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21412 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@1mA,5V | ¥0.21598 | 780 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21598 | 立即购买 加入购物车 |