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MMUN2235
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MMUN2235

  • 描述:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
  • 品牌: 维攀微 (WPMtek)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.11360 0.11360
10+ 0.09005 0.90051
30+ 0.07695 2.30871
  • 库存: 1900
  • 单价: ¥0.11361
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.11
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规格参数

  • 晶体管类型 1个NPN-预偏置
  • 功率(Pd) 200mW
  • 集电极电流(Ic) 100mA
  • 集射极击穿电压(Vceo) 50V
  • 集电极截止电流(Icbo) 100nA
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 250mV@10mA,1mA
  • 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) -
  • 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) -
  • 输出电压(VO(on)@Io/Ii) -
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
  • 输入电阻 2.86kΩ
  • 电阻比率 0.056
  • 特征频率(fT) -
  • 工作温度 +150℃@(Tj)
MMUN2235所属分类:预偏置双极晶体管阵列,MMUN2235 由 维攀微 (WPMtek) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMUN2235价格参考¥0.113607,你可以下载 MMUN2235中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMUN2235规格参数、现货库存、封装信息等信息!

维攀微 (WPMtek)

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