久芯网

三极管偏置电压计算器

三极管的偏置电压决定了它的工作状态和放大性能,因此在电子电路设计中非常重要。下面是一个简单的三极管偏置电压计算器,可以帮助你计算出所需的电阻值:假设三极管的基极电压为 Vbe,集电极电压为 Vce,电源电压为 Vcc,电流增益为 β,需要确定两个电阻 R1 和 R2 的值,使得三极管的偏置电压为 Vbb。计算步骤如下:确定集电极电压 Vce,一般取其工作区域的中间值,例如 Vce ≈ Vcc/2。确定基极电压 Vbe,一般取其额定值,例如 Vbe ≈ 0.7V。计算电阻比值:R2 / R1 = (Vcc - Vbe) / Vbb - 1)。选择一个合适的电阻值 R1,例如取 1 kΩ。根据电阻比值计算 R2 的值:R2 = R1 x ((Vcc - Vbe) / (Vbb - 1))。检查计算结果是否符合实际要求,例如电阻值是否在可用范围内,电流是否过大等。请注意,这个计算器只提供了一个初步的计算方案,实际设计中还需要根据具体情况进行调整和优化。如果你不确定自己的计算结果是否正确,建议请电子工程师或专业人士进行检查。


Transistor bias resistor series

Corresponding type
RB (Base resistor)
(KΩ) 
VB (Bias Voltage)
(V)
RC (Collector resistor) (KΩ) 
RE1 (Emitter resistor 1) (KΩ) 

RE2 (Emitter resistor 2)

(KΩ) 
VP (Supply Voltage) (V)
Beta (DC Current Gain)
VBE (Base to emitter drop) (V)
Rs (Source Resistance): (Ω)
RL (Load resistor) (Ω) 
fT(Current gain bandwidth): Optional (MHz)
CCB Collector-base capacitance(Optional) (pF)
CBE Base-emitter capacitance(Optional)   (pF)

Vc (Collector Voltage) (V) 
Ve (Emitter Voltage) (V) 
Vb (Base Voltage) (V) 
Ic (Collector Voltage) (mA) 
Ib (Base Voltage) Base current (mA) 
gm (Transconductance)
rπ (Transistor input resistance at low frequencies)
  saturation
  Deadline

CECommon emitter)Configuration parameter

A (Amplifier voltage gain)
C MCE (Miller Capacitance) (pF)
BWCE (BW) (MHz)

CC (Common electrode)Configuration parameter

A (Amplifier voltage gain)
Rin (KΩ)
BWCC (BW) (MHz)
会员中心 微信客服
客服
回到顶部