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APTCV60HM70RT3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供单相桥式整流器等输入功能，配置设计用于全桥逆变器，以及250W最大功率，该设备还可以用作50A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备提供250μA集电器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTCV60TLM99T3G是功率模块IGBT QUAD 600V SP3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.9V@15V、30A Vce运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SP3，提供最大功率功能，如90W，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三电平逆变器-IGBT、FET。
APTCV60HM70BT3G带有电路图，包括升压斩波器、全桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于50A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
