9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTF660U60D4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTF660U60D4G参考价格为625.795578美元。其他APGF660U60D4G封装/规格：IGBT模块600V 860A 2800W D4。您可以下载APTF660U60D4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APGF50X60T3G是IGBT模块NPT 3PH BRIDGE SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了SP3中使用的包装箱，该包装箱提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP3中工作，该设备也可以用作三相逆变器配置。此外，功率最大值为250W，该设备提供65A电流收集器Ic Max，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为250W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25℃时的连续集电极电流为65 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTF530U120D4G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.7V@15V、600A Vce运行，数据表说明中显示了用于D4的供应商设备包，提供3900W等最大功率功能，包壳设计用于D4，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为37nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的NPT，集电器Ic最大值为700A，集电器截止最大值为5mA，配置为单一。
APTF50X60P2G，带有APT制造的电路图。APTF50x60P2G可在模块包中获得，是模块的一部分。
APTFF50XE60E2，带EDA/CAD模型APTFF50XE60E2以模块包形式提供，是模块的一部分。
