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APTGF50H60T3G是功率模块IGBT 600V 50A SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，SP3中使用的数据表注释中显示了封装盒，提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及标准输入，该设备也可以用作全桥逆变器配置。此外，功率最大值为250W，该设备提供65A电流收集器Ic Max，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为250W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25℃时的连续集电极电流为65 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APGF50TA120PG是IGBT模块NPT TRPL PHASE SP6P，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于SP6-P，提供功率最大值功能，如312W，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三相。
APGF50SK120T1G带有电路图，包括单组态，设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及3.45nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为312W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTF50SK120TG，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，它们设计为使用标准输入操作，数据表注释中显示了SP4中使用的封装盒，该SP4提供供应商设备封装功能，如SP4，配置设计为在单个和NPT IGBT型中工作，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为75A，该设备提供312W功率最大值，该设备在15V时具有3.7V，最大Vge Ic上的Vce为50A，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，集电器截止最大值为250μa，集电器发射极击穿最大值为1200V。
