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APTGF50H60T3G是功率模块IGBT 600V 50A SP3,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,SP3中使用的数据表注释中显示了封装盒,提供了底盘安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于SP3,以及标准输入,该设备也可以用作全桥逆变器配置。此外,功率最大值为250W,该设备提供65A电流收集器Ic Max,该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值,电流收集器截止最大值为250μa,IGBT类型为NPT,最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V,50A,输入电容Cies Vce为2.2nF@25V,NTC热敏电阻为Yes,Pd功耗为250W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-40℃,集电极-发射极电压VCEO Max为600 V,集电极/发射极饱和电压为2.1 V,25℃时的连续集电极电流为65 A,栅极-发射极漏电流为400 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTGF50SK120T1G带有用户指南,其中包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值,它们设计为在3.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作,数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包,提供312W等功率最大值功能,包壳设计为在SP1中工作,以及是NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为3.45nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型NPT,集电器Ic最大值为75A,集电器截止值最大值为250μa,配置为单一。
APTFF50SK120TG带有电路图,包括单组态,设计用于250μa集电器最大截止电流,集电器Ic最大值如数据表注释所示,用于75A,提供IGBT类型功能,如NPT,输入设计用于标准,以及3.45nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为“是”,该器件采用SP4封装外壳,该器件的最大功率为312W,供应商器件封装为SP4,最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V,50A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。