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APTGF50H60T3G是功率模块IGBT 600V 50A SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，SP3中使用的数据表注释中显示了封装盒，提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及标准输入，该设备也可以用作全桥逆变器配置。此外，功率最大值为250W，该设备提供65A电流收集器Ic Max，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为250W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25℃时的连续集电极电流为65 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTGF50H120TG是IGBT模块NPT全桥SP4，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于SP4，提供功率最大值功能，如312W，包壳设计为在SP4中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGF50H60T1G带有电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于65A，提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及2.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件最大功率为250W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGF50H60T2G，带EDA/CAD型号，包括是NTC热敏电阻，设计用于标准输入，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，该SP3提供了供应商设备封装功能，如SP3，IGBT类型设计用于NPT，以及全桥逆变器配置，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集流器Ic最大值为65A，该器件提供600V集流器发射极击穿最大值，该器件具有250μa集流器截止最大值，功率最大值为250W，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V。
