9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTF50DU120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APGF50DU120TG参考价格为203.132892美元。其他APGF50DU120TG封装/规格：IGBT模块1200V 75A 312W SP4。您可以下载APTF50DU120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGF50DH60T1G，带引脚细节，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表注释中显示了SP1中使用的封装盒，该封装盒提供安装类型功能，如机箱安装，供应商设备封装设计为在SP1中工作，以及标准输入，该设备也可以用作不对称桥配置。此外，功率最大值为250W，该设备提供65A电流收集器Ic Max，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为250W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25℃时的连续集电极电流为65 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTGF50DH60TG，带有用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于在2.45V@15V、50A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供250W等最大功率功能，包壳设计用于SP4，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为65A，集电器截止值最大值为250μa，配置为不对称桥。
APGF50DSK120T3G带有电路图，包括双降压斩波器配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于70A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及3.45nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为312W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTF50DSK60T3G，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于标准输入，数据表注释中显示了用于SP3的封装盒，提供了供应商设备封装功能，如SP3，IGBT类型设计用于NPT，以及双降压斩波器配置，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集流器Ic最大值为65A，该器件提供600V集流器发射极击穿最大值，该器件具有250μa集流器截止最大值，功率最大值为250W，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V。
