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APT24M120L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括卷轴封装，其设计为单位重量为0.373904盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，该通孔具有Power MOS 8等商标特征，封装盒设计为在to-264-3以及Si技术中工作，该设备也可用作1.040 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为42纳秒，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为145ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为260nC，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
APT24M80B是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
APT24M80S是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
