起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2493.67072 | 2493.67072 |
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
经济双重™ 3 650 V，600 A双IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制二极管和NTC。
也可使用PressFIT触点技术。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IFF150B12U1E4BOMA1 | 英飞凌 (Infineon) | INTELLIGENT POWER MODULE (IPM) | ¥888.89459 |
| IFF600B12ME4PB11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,493.67072 |
 | IFF300B12ME4PB11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-6 | ¥1,451.11749 |
 | IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-6 | ¥1,250.37115 |
 | IFF450B12ME4PB11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,875.70105 |
| IFF600B12ME4B11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-5 | ¥2,450.51964 |
| IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-5 | ¥1,662.39904 |
 | IFF600B12ME4B11BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-5 | ¥796.05499 |
 | IFF2400P17AE4BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 供应商设备包装: Module | ¥17,460.38539 |
| IFF750B12ME7B11BPSA1 | MEDIUM POWER ECONO | ¥0.00 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
