9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXUC100N055，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXUC100N055参考价格$4.236。IXYS IXUC100N055封装/规格：MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS220。您可以下载IXUC100N055英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTY5N50P是MOSFET 5安培500V 1.3欧姆Rds，包括IXTY5N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为89 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为12.6nC，正向跨导最小值为3S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的IXTY4N65X2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及57 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为28 ns，器件的漏极-源极电阻为850 mOhms，Qg栅极电荷为8.3 nC，Pd功耗为80 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为4A，正向跨导最小值为2.5S，下降时间为25ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXTY8N65X2带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了24 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如4.8 S，Id连续漏电流设计为8 a，最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为150 W，Qg栅极电荷为12 nC，Rds漏极-源极电阻为500 mOhm，上升时间为28 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，第Vgs栅极源极阈值电压为3V。
IXTZ550N055T2是MOSFET 550Amps 55V，包括管封装，它们设计为与TrenchT2 GigaMOS商品名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N信道以及IXTZ550NO55系列中工作，该设备也可以用作增强信道模式。此外，封装外壳为DE-475-6，该器件以95s正向跨导最小值提供，该器件具有90ns的典型关断延迟时间，Pd功耗为600W，Qg栅极电荷为595nC，Id连续漏极电流为550A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，典型接通延迟时间为45ns，上升时间为40ns，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，下降时间为230ns，Vgs栅极源极电压为20V，Rds漏极-源极电阻为1mOhms，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
