9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXUN350N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXUN350N10参考价格$3.344。IXYS IXUN350N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B。您可以下载IXUN350N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTY8N65X2具有引脚细节，包括管封装，其设计为单位重量为0.081130盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备也可用作150 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为24 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为12nC，正向跨导最小值为4.8S，沟道模式为增强。
IXTZ550N055T2是MOSFET 550Amps 55V，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于55 V，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为90 ns，该器件还可以用作TrenchT2 GigaMOS商品名。此外，该技术为Si，器件为IXTZ550N055系列，器件的上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为1 mOhms，Qg栅极电荷为595nC，Pd功耗为600 W，封装为管，封装盒为DE-475-6，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为550 A，正向跨导最小值为95 s，下降时间为230 ns，信道模式为增强。
IXUC160N075是由IXYS制造的MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220。IXUC160N075在ISOPLUS220中提供™ 封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220，N沟道75V 160C 300W（Tc）通孔ISOPLUS20？。
