9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BSS138TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSS138TC参考价格为1.108美元。Diodes Incorporated BSS138TC封装/规格：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3。您可以下载BSS138TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSS138Q-7-F是MOSFET 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA，包括BSS138系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT23等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-源极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为20 ns，正向跨导最小值为100mS，沟道模式为增强。
BSS138TA是MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为BSS138系列，该器件的上升时间为10 ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为360 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为200 mA，下降时间为10 ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的BSS138SOT23是IC芯片的一部分。
BSS138T/R，带有PANJIT制造的EDA/CAD模型。BSS138T/R采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
