
BSS169H6327
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):170mA 功率(Pd):360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,170mA
 - 品牌: 英飞凌 (Infineon)
 - 交期:2-3 工作日
 
渠道: 
 - 自营
 - 得捷
 - 贸泽
 
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 3.29996 | 3.29996 | 
| 10+ | 2.73245 | 27.32456 | 
| 30+ | 2.45921 | 73.77633 | 
| 100+ | 2.20698 | 220.69840 | 
| 500+ | 2.13341 | 1066.70900 | 
| 1000+ | 2.09138 | 2091.38000 | 
- 库存: 4617
 - 单价: ¥3.29997
 - 
                  数量:
                  - +
 - 总计: ¥3.30
 
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规格参数
- 类型 N沟道
 - 漏源电压(Vdss) 100V
 - 连续漏极电流(Id) 170mA
 - 功率(Pd) 360mW
 - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA
 - 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@50uA
 
BSS169H6327所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS169H6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS169H6327价格参考¥3.299967,你可以下载 BSS169H6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS169H6327规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。










