BSS308PEH6327
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1.30408 | 1.30408 |
10+ | 1.05129 | 10.51293 |
30+ | 0.92794 | 27.83820 |
100+ | 0.69799 | 69.79990 |
600+ | 0.66781 | 400.68900 |
1200+ | 0.64967 | 779.61360 |
- 库存: 40975
- 单价: ¥1.30408
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数量:
- +
- 总计: ¥1.30
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 2A
- 功率(Pd) 500mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@11uA
BSS308PEH6327所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS308PEH6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS308PEH6327价格参考¥1.304080,你可以下载 BSS308PEH6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS308PEH6327规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。