9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD70NH02LT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD70NH02LT4参考价格$4.02。STMicroelectronics STD70NH02LT4封装/规格：MOSFET N-CH 24V 60A DPAK。您可以下载STD70NH02LT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD70N10F4是MOSFET N-CH 100V 60A DPAK，包括DeepGATE？，STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道，金属氧化物FET类型。此外，最大功率为125W，该器件提供100V漏极到源极电压Vdss，该器件具有5800pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为19.5mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为85nC@10V。
STD70N6F3是MOSFET N-Ch 60V 8.0 mOhm 70A STripFET III，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为10.5 mOhms，该器件提供110 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，并且Id连续漏极电流为70A，并且配置为单一。
STD70NH02L-1，带有ST制造的电路图。STD70NH02L-1采用TO251封装，是IC芯片的一部分。
