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STD2NK90ZT4是MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为70W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为900V，输入电容Cis-Vds为485pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为6.5 Ohm@1.05A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，Pd功耗为70W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.1A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型导通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为19.5nC，并且前向跨导Min为2.3S，并且信道模式为增强。
STD2NM60是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。STD2NM20可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 2A DPAK。
STD2NM60-1，带有ST制造的电路图。STD2NM6-01可在TO252封装中获得，是IC芯片的一部分。
STD2NM60T4是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。STD2NM6T4可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 2A DPAK，N通道600V 2A（Tc）46W（Tc，表面安装D-Pak。
