特色
- 快速切换性能的平面HD3e工艺
- 适用于低trr和Qrr的体二极管，并针对24伏同步运行进行了优化
- 低Cis可最大限度地减少驾驶员损失
- 优化Qgd*RDS（开启），实现穿透式保护
- 低栅极电荷
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 汽车
（图片：引出线）
STD110N02RT4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 642
- 库存: 2494
- 单价: ¥3.39006
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,176.42
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 DPAK
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 24伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 20A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3440 pF @ 20 V
- 最大功耗 1.5W（Ta）、110W（Tc）
STD110N02RT4G 产品详情
汽车功率MOSFET。24V，110A，4.6 mOhm，单N通道，DPAK，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
STD110N02RT4G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STD 900 | 博普拉 (Bopla) | 附件种类: 使站立 包装: 散装 系列: Databoss | ¥260.02505 |
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 | STD24N06LT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥78.14456 |
| STD3055L104T4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥169.17136 |
| STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.39006 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.46258 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66283 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥217.48553 |
STD110N02RT4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD110N02RT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD110N02RT4G价格参考￥3.390063，你可以下载 STD110N02RT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD110N02RT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
