IQE065N10NM5CGATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 23.08608 | 23.08608 |
| 10+ | 20.73418 | 207.34186 |
| 100+ | 16.98991 | 1698.99120 |
| 500+ | 14.52114 | 7260.57200 |
| 5000+ | 14.52114 | 72605.72000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥19.55102
-
数量:
- +
- 总计: ¥23.09
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V
- 安装类别 表面安装，可润湿侧翼
- 最大功耗 2.5W（Ta）、100W（Tc）
- 供应商设备包装 PG-TTFN-9-1
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）、85A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 20A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 48A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 50 V
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| IQE030N06NM5ATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、137A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.97387 |
| IQE030N06NM5CGATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、137A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.97387 |
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| IQE050N08NM5CGATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta）、101A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: PG-TTFN-9-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.26245 |
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| IQE17-05NNSKW2S | 西克 (SICK) | ¥48.62001 |
IQE065N10NM5CGATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IQE065N10NM5CGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IQE065N10NM5CGATMA1价格参考￥19.551024，你可以下载 IQE065N10NM5CGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IQE065N10NM5CGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
