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IQE050N08NM5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、101A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.25443 19.25443
10+ 17.27851 172.78514
100+ 13.88699 1388.69930
500+ 11.40944 5704.72200
1000+ 10.86613 10866.13800
5000+ 10.86613 54330.69000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.25444
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.25
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 安装类别 表面安装,可润湿侧翼
  • 供应商设备包装 PG-TSON-8-4
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、100W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 49A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2900 pF@40 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)、101A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43.2 nC @ 10 V

IQE050N08NM5ATMA1 产品详情

IQE050N08NM5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IQE050N08NM5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IQE050N08NM5ATMA1价格参考¥19.254438,你可以下载 IQE050N08NM5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IQE050N08NM5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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