 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 |
 | BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):170mA 功率(Pd):360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
 | BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
 | BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
 | BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
 | BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |