特色
- 多肖特基势垒二极管中功率MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
QS6U24TR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.69066 | 4.69066 |
| 10+ | 3.99066 | 39.90669 |
| 100+ | 2.97820 | 297.82080 |
| 500+ | 2.34013 | 1170.06700 |
| 1000+ | 1.80828 | 1808.28600 |
| 3000+ | 1.64873 | 4946.19300 |
| 6000+ | 1.54236 | 9254.16600 |
- 库存: 8695
- 单价: ¥4.69066
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.69
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功耗 1.25W（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1A（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
- 导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 1A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.7 nC@5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 90 pF @ 10 V
QS6U24TR 产品详情
ROHM MOSFET是利用微处理技术制成的低RDS（导通）电阻器件，有多种类型，包括混合型（MOSFET+肖特基势垒二极管），以满足市场上的各种需求。
QS6U24TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | QS6Z5TR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.06178 |
 | QS6M4TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.6185 |
 | QS6J11TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.17988 |
 | QS6K21FRATR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.54633 |
 | QS6K1FRATR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.6185 |
 | QS6K21TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89955 |
 | QS6J1TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.83499 |
 | QS6K1TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.24286 |
| QS6U24TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.69066 |
 | QS6J3TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥527.18689 |
QS6U24TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，QS6U24TR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。QS6U24TR价格参考￥4.690660，你可以下载 QS6U24TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询QS6U24TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
