特色
- 2.5Ｖ-驱动器类型
- Nch+Pch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
QS6M4TR
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.61849 | 4.61849 |
| 10+ | 3.92572 | 39.25722 |
| 100+ | 2.93418 | 293.41880 |
| 500+ | 2.30520 | 1152.60350 |
| 1000+ | 1.78129 | 1781.29600 |
| 3000+ | 1.62412 | 4872.36900 |
| 6000+ | 1.51934 | 9116.04600 |
- 库存: 1458
- 单价: ¥4.61850
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.62
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 场效应管类型 N和P通道
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 最大功率 1.25瓦
- 漏源电压标 (Vdss) 30V, 20V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 80皮法 @ 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 230毫欧姆@1.5A，4.5V
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
QS6M4TR 产品详情
复杂型MOSFET（P+N）通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
QS6M4TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | QS6Z5TR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.06178 |
| QS6M4TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.6185 |
 | QS6J11TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.17988 |
 | QS6K21FRATR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.54633 |
 | QS6K1FRATR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.6185 |
 | QS6K21TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89955 |
 | QS6J1TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.83499 |
 | QS6K1TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.24286 |
 | QS6U24TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.69066 |
 | QS6J3TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥527.18689 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
