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BSS139IXTSA1
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BSS139IXTSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.53211 3.53211
10+ 2.87615 28.76152
100+ 1.95996 195.99640
500+ 1.46979 734.89650
1000+ 1.10238 1102.38100
3000+ 1.02070 3062.12700
  • 库存: 5380
  • 单价: ¥3.53212
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Ta）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0伏、10伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@100毫安，10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@56A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.3 nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
  • 最大功耗 360mW (Ta)
  • 供应商设备包装 PG-SOT-23-3
  • 色彩/颜色 灰色

BSS139IXTSA1 产品详情

9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSS139IXTSA1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。BSS139IXTSA1参考价格为0.49000美元。Infineon Technologies BSS139IXTSA1封装/规格：小信号MOSFET PG-SOT23-3。您可以下载BSS139IXTSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BSS139IXTSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

BSS138 SS，引脚细节由CJ制造。BSS138 SS采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。

BSS138 E6327带有INF制造的用户指南。BSS138 E6 327采用SOT23封装，是FET的一部分-单个。

BSS138 E-6327，电路图由西门子制造。BSS138 E-6327在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。

带EDA/CAD型号的BSS138 J1 BSS138 J1以SOT-23封装形式提供，是IC芯片的一部分。

BSS139IXTSA1 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
BSS63LT1BSS63LT1安盛美 (onsemi)TRANS PNP 100V 100MA SOT-23¥0.14417
BSS63,215BSS63,215恩智浦 (NXP)TRANS PNP 100V 100MA SOT23¥0.14417
BSS159NH6327XTSA1BSS159NH6327XTSA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.39712
BSS169H6327BSS169H6327英飞凌 (Infineon)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA¥3.28425
BSS308PEH6327BSS308PEH6327英飞凌 (Infineon)类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A¥1.30146
BSS138PSBSS138PS广东友台半导体 (UMW)暂无¥0.41481
BSS138NH6327-ESBSS138NH6327-ES静芯微 (ElecSuper)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA¥0.05416
BSS131BSS131华轩阳电子 (HXY MOSFET)暂无¥0.54127
BSS138LT1G-ESBSS138LT1G-ES静芯微 (ElecSuper)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA¥0.09648
BSS138W-7-F-ESBSS138W-7-F-ES静芯微 (ElecSuper)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA¥0.09264
BSS139IXTSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS139IXTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS139IXTSA1价格参考￥3.532116，你可以下载 BSS139IXTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS139IXTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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