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BSS84W

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安(Ta) 最大功耗: 298mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.53309 3.53309
10+ 2.84089 28.40898
100+ 1.93382 193.38290
500+ 1.45044 725.22200
1000+ 1.08790 1087.90500
3000+ 0.99719 2991.59400
6000+ 0.93677 5620.65000
  • 库存: 11065
  • 单价: ¥3.53310
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.53
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 140毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 140毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.9 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 37 pF @ 30 V
  • 最大功耗 298mW(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323

BSS84W 产品详情

BSS84W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS84W 由 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS84W价格参考¥3.533096,你可以下载 BSS84W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS84W规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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