9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100A23STG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100A23STG参考价格为173.18286美元。微芯片技术APTM100A23STG封装/规格：MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4。您可以下载APTM100A23STG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM100A13SG是MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供Power MOS 7等商品名称功能，包装箱设计用于SP6，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为SP6，该设备为单配置，该设备具有2 N沟道（半桥）FET型，最大功率为1250W，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Ciss Vds为15200pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为65A，Rds On Max Id Vgs为156 mOhm@32.5A，10V，Vgs th Max Id为5V@6mA，栅极电荷Qg Vgs为562nC@10V，Pd功耗为1.25 kW，下降时间为24 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为65 A，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgs第栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为9ns。
APTM100A23SCTG是MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于270 mOhm@18A，10V，提供功率最大功能，如694W，包装设计用于批量工作，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供8700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有308nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为碳化硅（SiC），漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C电流连续漏极Id为36A。
APTM100A18FTG，带电路图，包括43A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于372nC@10V，除了10400pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为780W，最大Id Vgs的Rds为210 mOhm@21.5A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
