品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4-TERMINAL SYMFET P CHANNEL MOSF | ¥1.44858 | 2565 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | LOW-COST HIGH OR LOW-SIDE MOSFET | ¥4.63546 | 6438 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.12250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI | ¥5.07003 | 13000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 372A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,229.21976 | 39 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,229.21976 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A（Tc） 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥918.32729 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥918.32729 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1,234.33502 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,234.33502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,244.98208 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,244.98208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1,389.40551 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,389.40551 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 173A（Tc） 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1,704.18194 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,704.18194 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 113A（Tc） 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,359.25702 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,359.25702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 173A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3,834.89826 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,834.89826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 238A（Tc） 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,070.92635 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,070.92635 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 538A (Tc) 供应商设备包装: SP6C | ¥6,105.33013 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,105.33013 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 171A（Tc） 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,188.91319 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,188.91319 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥687.64093 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥687.64093 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A (Tc) 供应商设备包装: SP6C 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,496.44673 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,496.44673 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 538A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI | ¥6,751.10709 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,751.10709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,152.77996 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,152.77996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 8-DFN (4x4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双降压斩波器） 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥850.53375 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥850.53375 | 添加到BOM 立即询价 |