9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50AM35FTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50AM35FTG参考价格168.49857美元。微芯片技术APTM50AM35FTG封装/规格：MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4。您可以下载APTM50AM35FTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM50AM24SCG是MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底座安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在SP6中工作，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供19600pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有碳化硅（SiC）FET特性，25°C的电流连续漏极Id为150A，最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@75A，10V，Vgs最大Id为5V@6mA，栅极电荷Qg-Vgs为434nC@10V。
APTM50AM25FTG是MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4，包括4V@8mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于25 mOhm@74.5A，10V，提供功率最大功能，如1250W，包装设计用于批量工作，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供29600pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有1200nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为149A。
APTM50AM24SG是MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6，包括150A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在434nC@10V下工作，除了19600pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为1250W，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@75A，10V，供应商设备封装为SP6，Vgs th Max Id为5V@6mA。
