9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60AM35SCTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60AM35SCTG参考价格为161.34286美元。微芯片技术APTC60AM35SCTG封装/规格：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4。您可以下载APTC60AM35SCTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTC60AM35SCTG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTC60AM24SCTG是MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4，包括CoolMOS？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如SP4中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP4供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（相腿）FET类型。此外，最大功率为462W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有14400pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，25°C的电流连续漏极Id为95A，最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@47.5A，10V，Vgs最大Id为3.9V@5mA，栅极电荷Qg-Vgs为300nC@10V。
APTC60AM242G是MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2，包括3.9V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于使用CoolMOS？系列，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，适用于24 mOhm@47.5A，10V，提供462W等最大功率功能，封装设计为散装工作，以及模块封装外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供14400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有300nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为600V，25°C电流连续漏极Id为95A。
APTC60AM24T1G是MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1，包括95A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，数据表说明中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于300nC@10V，除了14400pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP1封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为462W，最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@47.5A，10V，供应商设备封装为SP1，Vgs th Max Id为3.9V@5mA。
