MQ2N2608UB
- 描述:JFET P-CH 30V UB
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: --
-
数量:
- +
- 总计: --
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- Series Military, MIL-PRF-19500/295
- FET Type P-Channel
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
- Drain to Source Voltage (Vdss) -
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1 mA @ 5 V
- Current Drain (Id) - Max -
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 750 mV @ 1 µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
- Resistance - RDS(On) -
- Power - Max 300 mW
- Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 3-SMD, No Lead
- Supplier Device Package UB
MQ2N2608UB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MQ212-10S | 广赖 (Hirose) | 连接端子种类: 插头 针位数: ten 排数: one 线缆连接端: 焊料 连接头表面工艺: 金 安装类别: 自由悬挂（直线），直角 | ¥20.0411 |
 | MQ212-10PRT | 广赖 (Hirose) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Center Strip Contact 针位数: ten 配接间距: 0.020英寸（0.50毫米） 连接头表面处理: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥10.14006 |
| MQ2N4857UB | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥634.58668 |
| MQ2N4857UB/TR | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥635.67312 |
| MQ29K40 | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 29.4 kOhms 公差: ±0.05% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 金属箔 温度系数: ±5ppm/°C 包装/外壳: 1812 (4532 Metric), J-Lead | ¥39.91273 |
| MQ2N2608UB | JFET P-CH 30V UB | ¥0.00 | |
| MQ2N2608UB/TR | JFET P-CH 30V UB | ¥0.00 | |
| MQ2N4392 | JFET N-CH TO18 | ¥0.00 | |
| MQ2N4393 | JFET N-CH TO18 | ¥0.00 | |
| MQ2N4391 | JFET N-CH TO18 | ¥0.00 |
MQ2N2608UB所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，MQ2N2608UB 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。MQ2N2608UB价格参考￥，你可以下载 MQ2N2608UB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MQ2N2608UB规格参数、现货库存、封装信息等信息！