品牌介绍
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 1.85W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.96815 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.96815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.30391 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.30391 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥71.58882 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.58882 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），5W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥44.09478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.09478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 7.5A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），3.1W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.64227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.64226 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28.6A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），5.9W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥78.86070 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.86070 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），5W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥123.76668 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.76668 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.4W（Ta），5W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.01209 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.01209 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、2.8W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.47467 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.47467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），3.1W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.09919 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.09919 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.11406 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.11406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.41769 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.41769 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、6.3W（Tc） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.79480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.79480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.27916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.27916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥87.13209 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.13209 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.38890 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.38890 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.3W（Ta）、3.1W（Tc） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.95999 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.95999 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、3.1W（Tc） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.90934 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.90934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.05W（Ta） 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.65435 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.65435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥4.63546 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63546 | 添加到BOM 立即询价 |