9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4666DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4666DY-T1-GE3参考价格$17.088。Vishay Siliconix SI4666DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO。您可以下载SI4666DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4666DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si4666DY-GE3的零件别名，该Si4666DY-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为5W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1145pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为10mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为34nC@10V，Pd功耗为5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为16.5A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极源极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道。
SI4662DY-T1-GE3是MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的10mOhms Rds。此外，Pd功耗为3 W，该器件采用SI4662DY-GE3零件别名，该器件具有一个封装卷，封装盒为SOIC窄-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为12.9A，并且配置为Single。
Si4666DY，带有VISHAY制造的电路图。Si4666DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
Si4666DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si4666DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
