品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥742.91229 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53,489.68510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥760.50450 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79,852.97250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (8x13) | ¥75.94181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥189,854.51750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥760.50450 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79,852.97250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥760.50450 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥608,403.60000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥761.85030 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79,994.28182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥164.66429 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,855.82881 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥76.17814 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,284.04917 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥76.17858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,227.28632 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥167.74556 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40,258.93536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥40.57784 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60,866.76000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥76.29613 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,311.07096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥168.50607 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥421,265.17250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥319.80301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,579.31574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥319.80301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,579.31574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥319.80301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,579.31574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥790.92468 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥632,739.74400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥319.80301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,579.31574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥790.92468 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥632,739.74400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥319.80301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,579.31574 | 添加到BOM 立即询价 |