品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥66.09950 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,558.90538 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥63.55645 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95,334.67200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥709.80420 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥567,843.36000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥103.21133 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82,569.06000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥63.66509 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95,497.63650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥709.80420 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥567,843.36000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥709.80420 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥567,843.36000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥63.71000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,417.81927 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥46.06484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115,162.11000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥63.77374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥159,434.33750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥64.10691 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,398.34377 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥64.26698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,552.60819 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥64.45833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,828.99994 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥99.90878 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,193.43216 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥37.32672 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,062.57152 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥23.11760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57,793.99750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥564.94620 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81,352.25280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥16.44544 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,445.43900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.44551 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,668.26650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥572.55125 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,145,102.49000 | 添加到BOM 立即询价 |