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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS42VM16160K-75BLI
IS42VM16160K-75BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥31.26170

5380

2-3 工作日

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合计: ¥31.26170

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IS61C5128AS-25QLI
IS61C5128AS-25QLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥20.00931

999

2-3 工作日

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合计: ¥20.00931

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IS61LV25616AL-10BLI
IS61LV25616AL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥31.83269

393

2-3 工作日

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合计: ¥31.83269

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IS43R86400F-5TL
IS43R86400F-5TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥33.87899

83

2-3 工作日

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合计: ¥33.87899

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IS25WP256D-JMLE
IS25WP256D-JMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥38.64167

263

2-3 工作日

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合计: ¥38.64167

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IS43TR16128DL-125KBL
IS43TR16128DL-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥64.45959

3438

2-3 工作日

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合计: ¥64.45959

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IS43DR16640C-25DBLI
IS43DR16640C-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥18.73551

1038

2-3 工作日

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合计: ¥18.73551

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IS25LP032D-JKLE
IS25LP032D-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥10.89364

8659

2-3 工作日

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合计: ¥10.89364

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IS43R16160D-6TL
IS43R16160D-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥17.13280

0

2-3 工作日

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合计: ¥17.13280

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IS62WV51216EBLL-45TLI
IS62WV51216EBLL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥49.84763

610

2-3 工作日

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合计: ¥49.84763

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IS25LP010E-JNLE-TR
IS25LP010E-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.50042

680

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IS26KL128S-DABLI00
IS26KL128S-DABLI00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8)

¥43.05019

0

2-3 工作日

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合计: ¥43.05019

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IS25LP016D-JBLA3
IS25LP016D-JBLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥8.18592

38203

2-3 工作日

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合计: ¥8.18592

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IS25LP016D-JNLA3
IS25LP016D-JNLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.72096

4542

2-3 工作日

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合计: ¥11.72096

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IS26KS256S-DPBLI00
IS26KS256S-DPBLI00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8)

¥44.45527

334

2-3 工作日

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合计: ¥44.45527

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IS43LD16160B-25BLI
IS43LD16160B-25BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥59.11765

35

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合计: ¥59.11765

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IS62C1024AL-35QLI-TR
IS62C1024AL-35QLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥10.18678

8609

2-3 工作日

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合计: ¥10.18678

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IS42S32800J-7BL
IS42S32800J-7BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥24.01928

2265

2-3 工作日

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合计: ¥24.01928

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IS42S32800J-6TL
IS42S32800J-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥26.19148

661

2-3 工作日

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合计: ¥26.19148

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IS43LQ16256A-062BLI
IS43LQ16256A-062BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5)

¥131.17091

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