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IS42VM16160K-75BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 31.29853 31.29853
30+ 30.34501 910.35048
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    - +
  • 总计: ¥31.30
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规格参数

  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-移动
  • 存储容量 256Mb (16M x 16)
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 访达时期 6 ns
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 54-TFBGA
  • 供应商设备包装 54-TFBGA (8x8)

IS42VM16160K-75BLI 产品详情

The IS42VM16160K-75BLI is a 268435456-bit CMOS Mobile Synchronous DRAM organized as 4 banks of 4194304 words x 16-bit. This is offering fully synchronous operation and is referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

Feature

  • JEDEC standard 3.3/2.5/1.8V power supply
  • Auto refresh and self refresh
  • All pins are compatible with LVCMOS interface
  • 8K Refresh cycle/64ms
  • Programmable CAS Latency - 2,3 clocks
  • All inputs and outputs referenced to the positive edge of the system clock
  • Data mask function by DQM
  • Internal 4 banks operation
  • Burst read single write operation
  • Special function support
  • Programmable driver strength control
  • Deep power down mode
  • Speed - 7.5ns

Applications

Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
IS42VM16160K-75BLI所属分类:存储器,IS42VM16160K-75BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42VM16160K-75BLI价格参考¥31.298537,你可以下载 IS42VM16160K-75BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42VM16160K-75BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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