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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI
IS66WVE4M16EBLL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥18.58601

20731

2-3 工作日

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合计: ¥18.58601

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IS43TR16640CL-125JBL
IS43TR16640CL-125JBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥43.23587

1563

2-3 工作日

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合计: ¥43.23587

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IS25LP064A-JMLE
IS25LP064A-JMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥25.29624

2640

2-3 工作日

- +

合计: ¥25.29624

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IS25WP064A-JKLE
IS25WP064A-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥15.78880

1260

2-3 工作日

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合计: ¥15.78880

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IS61C1024AL-12TLI
IS61C1024AL-12TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥18.02370

1789

2-3 工作日

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合计: ¥18.02370

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IS34ML04G081-TLI
IS34ML04G081-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥85.15333

8869

2-3 工作日

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合计: ¥85.15333

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IS43LR16320B-6BLI
IS43LR16320B-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10)

¥91.32428

0

2-3 工作日

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合计: ¥91.32428

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IS25LP256D-JLLE
IS25LP256D-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥15.52588

11589

2-3 工作日

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合计: ¥15.52588

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IS61C6416AL-12TLI
IS61C6416AL-12TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.99473

4036

2-3 工作日

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合计: ¥13.99473

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IS43R16160F-6TL
IS43R16160F-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥17.21448

524

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.21448

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IS43DR16320E-3DBL
IS43DR16320E-3DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥5.75521

388

2-3 工作日

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合计: ¥5.75521

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IS25LP256D-RHLE
IS25LP256D-RHLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥41.16551

8009

2-3 工作日

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合计: ¥41.16551

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IS61LV6416-10TL
IS61LV6416-10TL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥15.73264

0

2-3 工作日

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合计: ¥15.73264

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IS61LPS25636B-200TQLI
IS61LPS25636B-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥82.00522

0

2-3 工作日

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合计: ¥82.00522

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IS43LR32640A-6BLI
IS43LR32640A-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13)

¥126.35963

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥126.35963

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IS66WVE4M16EALL-70BLI
IS66WVE4M16EALL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥45.17179

4680

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IS61NLP25636A-200TQLI
IS61NLP25636A-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥129.69354

447

2-3 工作日

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合计: ¥129.69354

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IS43DR16128C-25DBLI
IS43DR16128C-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥48.40430

2818

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合计: ¥48.40430

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IS42VM16400M-6BLI-TR
IS42VM16400M-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥23.35199

0

2-3 工作日

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合计: ¥58,379.98250

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IS25LP128-JMLE-TR
IS25LP128-JMLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥17.35110

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合计: ¥17,351.09800

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