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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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6116SA55TDB
6116SA55TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76937

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合计: ¥41,330.81220

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71V424S10PHG8
71V424S10PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.41492

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5-7 工作日

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合计: ¥71,122.38150

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6116LA55DB
6116LA55DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥137.76937

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5-7 工作日

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合计: ¥41,330.81220

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71V424S12PHG8
71V424S12PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.41492

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5-7 工作日

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合计: ¥71,122.38150

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71V65603S133BQGI
71V65603S133BQGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

0

5-7 工作日

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合计: ¥48,922.52139

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6116SA35TDB
6116SA35TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP

¥161.51667

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5-7 工作日

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合计: ¥323.03334

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71V424S12YG8
71V424S12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥47.41492

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5-7 工作日

- +

合计: ¥23,707.46050

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71V65603S133BQGI8
71V65603S133BQGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

0

5-7 工作日

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合计: ¥359,724.42200

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71V424S15YG8
71V424S15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥47.41492

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,707.46050

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71V65603S133BQI
71V65603S133BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥179.86221

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5-7 工作日

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合计: ¥48,922.52139

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71V35761SA183BGGI
71V35761SA183BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥72.19991

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合计: ¥12,129.58438

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71V65603S150BGGI
71V65603S150BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥178.62909

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2-3 工作日

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合计: ¥45,014.52967

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71V416L12YG
71V416L12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.41499

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5-7 工作日

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合计: ¥12,138.23821

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71V35761SA183BGI
71V35761SA183BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥72.69503

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5-7 工作日

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合计: ¥12,212.76538

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71V65803S100BQ
71V65803S100BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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2-3 工作日

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合计: ¥44,439.32654

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71V416S10YG
71V416S10YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.09284

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2-3 工作日

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合计: ¥12,055.76602

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71V65803S100BQG
71V65803S100BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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5-7 工作日

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合计: ¥44,744.18278

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7164S20DB
7164S20DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥207.56138

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5-7 工作日

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合计: ¥35,077.87305

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71V65803S133BQ
71V65803S133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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2-3 工作日

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合计: ¥44,439.32654

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71V65803S133BQG
71V65803S133BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥103.08717

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2-3 工作日

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合计: ¥28,039.71133

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