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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V35761SA166BGI
71V35761SA166BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥45.53744

34

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合计: ¥7,650.28958

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71V65703S75BQ
71V65703S75BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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5-7 工作日

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合计: ¥44,744.18278

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71V416L15BE
71V416L15BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥47.41492

0

5-7 工作日

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合计: ¥11,853.73025

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71V65703S75BQG
71V65703S75BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

0

5-7 工作日

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合计: ¥44,744.18278

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71V416L15BE8
71V416L15BE8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥47.64984

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合计: ¥95,299.67400

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71V321L25JG
71V321L25JG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥150.34870

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5-7 工作日

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合计: ¥36,083.68752

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71V416S10YG8
71V416S10YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.41492

0

5-7 工作日

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合计: ¥23,707.46050

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71V321L25JG8
71V321L25JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥150.34884

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5-7 工作日

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合计: ¥60,139.53680

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71V416S12YG8
71V416S12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.41492

0

5-7 工作日

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合计: ¥23,707.46050

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71V416S15PHG8
71V416S15PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.64984

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2-3 工作日

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合计: ¥71,474.75550

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71V65703S80BQ
71V65703S80BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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M10082040108X0IWAR
M10082040108X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥128.21526

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2-3 工作日

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合计: ¥512,861.05600

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71V424L10YG8
71V424L10YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥47.64984

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2-3 工作日

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合计: ¥23,824.91850

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71V65703S80BQG
71V65703S80BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥44,744.18278

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M30082040108X0IWAY
M30082040108X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥127.45858

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合计: ¥28,678.18140

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71V424L12YG8
71V424L12YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥47.41492

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合计: ¥23,707.46050

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71V65703S85BQ
71V65703S85BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥163.37988

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合计: ¥44,439.32654

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7130LA25JGI8
7130LA25JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥114.78765

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合计: ¥45,915.06080

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71V424L15YG8
71V424L15YG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥47.64984

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2-3 工作日

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合计: ¥23,824.91850

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71V65703S85BQG
71V65703S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥164.50067

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合计: ¥44,744.18278

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