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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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RGS80TSX2GC11
RGS80TSX2GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥64.00947

384

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.00947

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RGS80TSX2DGC11
RGS80TSX2DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥79.59689

123

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.59689

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RGTH40TS65GC11
RGTH40TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 144瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.95854

150

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.95854

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RGTH50TS65GC11
RGTH50TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.86569

220

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.86569

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RGTH60TS65GC11
RGTH60TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 197 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.37084

32

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.37084

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RGTH50TS65DGC11
RGTH50TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.10278

188

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.10278

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RGTH80TS65GC11
RGTH80TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.12337

180

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.12337

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RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.57694

49

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.57694

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RGPR30NS40HRTL
RGPR30NS40HRTL
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.97922

530

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.97922

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RGT16NS65DGTL
RGT16NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.26788

878

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.26788

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RGT8NL65DGTL
RGT8NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.77303

995

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.77303

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RGTVX6TS65GC11
RGTVX6TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 144 A 最大功率: 404 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.55608

425

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.55608

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RGT40NS65DGC9
RGT40NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 161瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.15435

942

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.15435

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RGCL60TS60DGC11
RGCL60TS60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 111瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.15426

321

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.15426

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RGCL60TK60DGC11
RGCL60TK60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 54 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.77275

384

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.77275

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RGTH40TK65DGC11
RGTH40TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.79334

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.79334

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RGW60TS65DGC11
RGW60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 178 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.57685

449

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- +

合计: ¥35.57685

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RGS80TSX2DHRC11
RGS80TSX2DHRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.31847

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RGT8TM65DGC9
RGT8TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 5 A 最大功率: 16瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.62870

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RGT8NS65DGC9
RGT8NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

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