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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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RGT50NL65DGTL
RGT50NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.52949

5

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合计: ¥8.52949

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RGTH50TK65DGC11
RGTH50TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 26A 最大功率: 59 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.83330

450

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合计: ¥37.83330

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RGTH80TK65GC11
RGTH80TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 66 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.19499

450

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合计: ¥38.19499

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RGTV60TS65DGC11
RGTV60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.41201

377

5-7 工作日

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合计: ¥38.41201

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RGW80TK65GVC11
RGW80TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 81 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.62903

450

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合计: ¥38.62903

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RGS60TS65HRC11
RGS60TS65HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 56 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.85879

445

5-7 工作日

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合计: ¥39.85879

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RGTH60TK65DGC11
RGTH60TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 28A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.93113

405

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合计: ¥39.93113

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RGT16TM65DGC9
RGT16TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 9 A 最大功率: 22 W 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.20394

0

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合计: ¥16.20394

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RGT30NS65DGC9
RGT30NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 133 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.45919

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.45919

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RGCL80TK60GC11
RGCL80TK60GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 57 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.40787

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.40787

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RGTV80TS65DGC11
RGTV80TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.04171

240

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合计: ¥43.04171

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RGS30TSX2HRC11
RGS30TSX2HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 267瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.51398

442

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合计: ¥46.51398

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RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.26286

370

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合计: ¥49.26286

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RGW40TS65GC11
RGW40TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.27180

0

5-7 工作日

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合计: ¥27.27180

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RGW80TS65DGC11
RGW80TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 214 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.42476

0

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合计: ¥39.42475

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RGW40TS65DGC11
RGW40TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.84191

450

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合计: ¥32.84191

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RGW60TK65DGVC11
RGW60TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.29282

0

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合计: ¥40.29282

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RGTV80TS65GC11
RGTV80TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.78231

450

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RGW00TK65GVC11
RGW00TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 89 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥41.45025

0

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合计: ¥41.45025

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RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 76 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.04171

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