品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 17119 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 204A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,182.24054 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,182.24054 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 | 1458 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥4,079.63585 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,079.63585 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，0.9V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.82473 | 6533 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.76195 | 273 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.76195 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP (5.0x6.0) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.53022 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.53022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.2V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 2107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.18421 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18421 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 1676 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.56303 | 2805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.63546 | 2870 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 | 5612 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 | 1598 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.91020 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.91020 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15,520.52069 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,520.52069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 | 1531 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 |