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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UMH5NTR
UMH5NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥2.81303

390

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.81303

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UMA3NTR
UMA3NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.81303

364

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.81303

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EMB3FHAT2R
EMB3FHAT2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.31793

7994

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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EMG1T2R
EMG1T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥3.31793

7960

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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EMH2FHAT2R
EMH2FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.31793

7914

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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EMD12FHAT2R
EMD12FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.81303

187

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.81303

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EMB2FHAT2R
EMB2FHAT2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.31793

7900

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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UMB9NTN
UMB9NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.57148

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57148

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EMH4FHAT2R
EMH4FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.31793

5937

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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EMD3FHAT2R
EMD3FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.31793

4580

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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FMG8AT148
FMG8AT148
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥0.62203

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.62203

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FMG4AT148
FMG4AT148
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥0.55539

150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55539

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FMA7AT148
FMA7AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥3.31793

1728

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.31793

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EMH61T2R
EMH61T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.95729

334

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.95729

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IMH10AT110
IMH10AT110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.27928

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.27928

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EMB6T2R
EMB6T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.14944

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.14944

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UMH25NTN
UMH25NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.72937

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.10400

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IMB9AT110
IMB9AT110
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.95729

269

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.95729

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IMH11AT110
IMH11AT110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥1.67123

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.67123

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FMA10AT148
FMA10AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥1.42277

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.42277

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