EMD3FHAT2R
- 描述:晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.31793 | 3.31793 |
| 10+ | 2.51730 | 25.17302 |
| 100+ | 1.56808 | 156.80840 |
| 500+ | 1.07270 | 536.35100 |
| 1000+ | 0.82515 | 825.15600 |
| 2000+ | 0.74264 | 1485.28000 |
- 库存: 4580
- 单价: ¥3.31793
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.32
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 基极电阻 (R1) 10欧姆
- 发射极电阻 (R2) 10欧姆
- 最小直流增益 30 @ 5毫安, 5V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
- 特征频率 250MHz
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大功率 150mW
- 供应商设备包装 EMT6
EMD3FHAT2R 产品详情
Everspin Technologies EMD3D256M08/16B DRAM是非易失性256Mb DDR3自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（MRAM），最大时钟频率为667MHz。这些DRAM在DDR3速度下提供非易失性和高耐久性。DDR3 STT-MRAM是一种高速MRAM，内部配置为八组RAM。这些DRAM能够以高达1333MT/sec/pin的速率进行DDR3操作。EMD3D256M08/16B DRAM的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准。不需要自旋力矩MRAM技术单元刷新，这简化了系统设计并减少了开销。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| EMD3D256M08G1-150CBS1R | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD3D256M16G2-150CBS1 | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD4E001G16G2-150CAS2R | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMDC-10-1TR | COUPLER, 5-1000MHZ | ¥0.00 | |
| EMDL700 | ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/ | ¥0.00 |
EMD3FHAT2R所属分类：预偏置双极晶体管阵列，EMD3FHAT2R 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EMD3FHAT2R价格参考￥3.317934，你可以下载 EMD3FHAT2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EMD3FHAT2R规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
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