品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥16.68569 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,009.12928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-WBGA (8x9.5) | ¥110.27564 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20,842.09539 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x9.5) | ¥140.81609 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥26,614.24139 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.83438 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,818.11336 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥15.16513 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,637.83436 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥20.22018 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,183.77922 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.83438 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,818.11336 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥33.63299 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,071.91664 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥38.50662 | 4765 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥38.50662 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥47.36712 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥47.36712 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥43.20434 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,258.32912 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥43.20434 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,258.32912 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥35.08054 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,893.53022 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥40.63912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,827.37132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥40.73516 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,552.87488 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC（11.43x13.97） | ¥63.34640 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.34640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥27.08004 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,553.37065 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥215.70805 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥215.70805 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥33.30285 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.30285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥42.80554 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.80554 | 添加到BOM 立即询价 |