品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDR SRAM, 1MX18, 2.4NS, CMOS, PB | ¥166.58670 | 1211 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥494.76250 | 405 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥494.76250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGA | ¥166.58670 | 448 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGA | ¥166.58670 | 262 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 256KX32, 3.5NS PQFP100 | ¥108.57107 | 47 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,279.99249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2 | ¥87.78395 | 1391 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.78395 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) | ¥484.33272 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥484.33272 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | EMMC 512GBIT MMC5.1 J58X AT | ¥484.33272 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥484.33272 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | EMMC 512GBIT MMC5.1 J58X AAT | ¥532.86015 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥532.86015 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | EMMC 1024G MMC5.1 J59X AAT | ¥887.11039 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥887.11039 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 64KX18 7.5NS PQFP100 | ¥55.11847 | 9402 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,204.73876 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥213.88284 | 55 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,352.71121 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 2MX8, 0.45NS PBGA165 | ¥239.45027 | 86 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,394.50274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥15.22458 | 1341 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.22458 | 立即购买 加入购物车 | |
 | CACHE SRAM, 128KX36, 3.5NS PBGA1 | ¥56.13248 | 14199 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥56.13248 | 732 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥56.13248 | 416 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥131.05448 | 6482 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥131.05448 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥56.49462 | 934 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,203.29018 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 256KX18, 8.5NS PQFP1 | ¥18.75911 | 55458 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 |