品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS PBGA165 | ¥166.58670 | 926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥166.58670 | 753 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥3.24742 | 2224 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.24742 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（8x14） | ¥7.58114 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.58114 | 立即购买 加入购物车 | |
 | ZBT SRAM, 256KX32, 5NS PQFP100 | ¥71.77714 | 2223 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,225.09131 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 512KX36, 3.6NS, CMOS, | ¥125.73674 | 41 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 512KX36, 4NS, CMOS, | ¥136.09409 | 57 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.50546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ICSRLFL 128M 3V 8SOIC AUTO UT | ¥49.10686 | 3425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.10686 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 512KX36, 7.5NS, CMOS | ¥136.09409 | 42 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.50546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥59.68150 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.21535 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 1MX18, 0.5NS PBGA165 | ¥171.14973 | 2394 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.94645 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 512KX36, 0.5NS PBGA165 | ¥171.14973 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.94645 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | ¥36.79393 | 5358 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.79393 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 128KX18, 4NS PQFP100 | ¥41.93639 | 2281 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.69233 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥42.51582 | 18718 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,210.82280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 512KX36, 2.4NS, CMOS, | ¥125.73674 | 269 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SRAM SYNC DUAL 8M-BIT 512KX18 | ¥74.31215 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,229.36462 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥42.51582 | 16233 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,210.82280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 32KX32 8.5NS PQFP100 | ¥42.58825 | 28229 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,214.58910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 32KX32, 8NS | ¥42.58825 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,214.58910 | 添加到BOM 立即询价 |